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Perché FET si chiama Square Law Device?

Un transistor dell'effetto campo (FET) è chiamato un dispositivo di legge quadrata perché la sua corrente di scarico ($ i_d $) è approssimativamente proporzionale al quadrato della tensione della sorgente gate ($ v_ {gs} $).

Ecco perché:

* Funzione FET di base: In un FET, la tensione di gate controlla la larghezza del canale, che determina il flusso di corrente tra il drenaggio e la sorgente.

* Dipendenza della larghezza del canale: La larghezza del canale è direttamente proporzionale alla tensione di gate applicata. Una tensione di gate più elevata crea un canale più ampio, consentendo a più corrente di fluire.

* Relazione di tensione corrente: La corrente che scorre attraverso il canale è proporzionale alla larghezza del canale e, quindi, proporzionale alla tensione del gate. Tuttavia, la larghezza del canale stessa è anche influenzata dalla tensione della source drenaggio ($ v_ {ds} $), creando una relazione più complessa.

* Approssimazione della legge quadrata: Per piccoli valori di $ v_ {ds} $, la relazione di tensione corrente può essere approssimata da un'equazione della legge quadrata:

* $ I_d =k (v_ {gs} - v_t)^2 $

* Dove:

* $ K $ è una costante a seconda della geometria del dispositivo e delle proprietà del materiale.

* $ V_t $ è la tensione di soglia, una tensione al di sotto della quale non scorre la corrente.

In sostanza, il comportamento della legge quadrata sorge perché l'attuale flusso è proporzionale alla larghezza del canale, che a sua volta è proporzionale al quadrato della tensione della sorgente del gate. Questo è vero per entrambi i MOSFET (transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo) e JFET (transistor a effetto campo da giunzione).

Nota: L'approssimazione della legge quadrata è valida per le piccole tensioni della fonte di drenaggio. Mentre $ v_ {ds} $ aumenta, la relazione di tensione corrente diventa più complessa e si discosta dalla legge quadrata. Tuttavia, la terminologia del "dispositivo di legge quadrata" persiste perché descrive accuratamente il comportamento fondamentale dei FET per un intervallo operativo significativo.

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